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英特爾未來十年技術路線圖被披露:2023年采用5nm 2029年升至1.4nm

【TechWeb】12月11日消息,據國外媒體報道,芯片巨頭英特爾在10nm和7nm工藝方面,并未跟上競爭對手的節奏,其目前在芯片工藝方面也落后于臺積電和三星。

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不過在10nm和7nm方面落后于競爭對手的英特爾,對未來還是有著清晰的計劃,其在未來10年的技術路線圖已經被披露,將保持兩年一次升級的節奏。

英特爾未來十年的技術路線圖,是由光刻機廠商阿斯麥的首席技術官Martin van den Brink在國際電子器件大會上披露的,由IEEE(電氣和電子工程師協會)所舉辦的這一大會在本周舉行。

阿斯麥所披露的英特爾未來十年技術路線圖顯示,英特爾今年將開始采用10nm工藝,2020年是10++工藝,2021年則會推出10nm+++工藝。

10nm之后的7nm工藝將在2021年開始采用,7nm+和7nm++則會在隨后的兩年分別推出。對于7nm工藝,英特爾首席工程官兼技術、系統架構和客戶部門總裁默西·倫杜琴塔拉(Murthy Renduchintala)在去年12月份曾透露,這一工藝是由一個獨立的團隊負責,他們將汲取在10nm工藝上的教訓,打算按內部最初的計劃量產7nm工藝,他們對7nm工藝的進展也非常滿意。

技術路線圖顯示,7nm之后更先進的5nm、3nm、2nm和1.4nm,也已進入了英特爾的視野,其中5nm、3nm和2nm目前都處在路線發現階段,分別計劃在2023年、2025年和2027年采用,2029年擬推出的是1.4nm。

同10nm和7nm工藝一樣,5nm、3nm和2nm工藝也會有升級版,將分別推出“+”和“++”工藝,均會在隨后的兩年推出。

就從ASML披露的技術路線圖來看,在10nm和7nm工藝方面落后于臺積電的英特爾,5nm和3nm工藝的采用時間,也將晚于臺積電。臺積電5nm工藝的良品率目前已經提升到了50%,預計明年一季度量產,3nm則是計劃在2022年量產,均要早于英特爾3年。

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