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CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協議

【TechWeb】11月15日,高溫半導體解決方案商CISSOID宣布與湖南國芯半導體科技有限公司簽署戰略合作協議,雙方將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發,充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢,并推動其在眾多領域實現廣泛應用。

寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而,在各類應用中為充分發揮寬禁帶功率模塊的優勢,需要驅動器在耐高溫、可靠性和保護機制等方面提供充分支持。

CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案領先廠商,擁有在航空航天、石油、汽車等多個要求嚴苛的領域驗證過的、應用超過10年的驅動器產品,這些驅動器產品具有耐高溫、高可靠性、高魯棒性等特性,可以助力寬禁帶半導體功率模塊在各類系統應用中充分發揮其性能優勢。

國芯科技是由中車時代電氣聯合長安汽車、南方電網、格力電器、中環股份等8家企業共同出資成立的集研發、檢測、技術服務于一體的高新企業,主要開展先進IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF,以及SiC、GaN等寬禁帶功率半導體材料、器件及技術的研究開發。

國芯科技攜手中國IGBT技術創新與產業聯盟成立了功率半導體創新中心,旨在開展功率半導體產業共性技術研發、相關產品開發、科技成果轉移擴散、技術孵化和商業化應用等工作,并提供設計、檢測等技術服務,進行人才培養和國際交流合作。目前,該創新中心已正式獲批成為湖南省制造業創新中心,正致力于建設升級為國家級制造業創新中心,打造成中國功率半導體產業生態聚集圈。

國芯科技總經理戴小平表示,“很高興可以與CISSOID公司簽署戰略合作協議,CISSOID公司多年來在高溫驅動器和高溫封裝方面的技術可以助力寬禁帶功率模塊在系統級上實現耐高溫、高能量密度,同時可極大地提高電控系統的可靠性。我們將與CISSOID公司合作研發寬禁帶功率技術、模塊及系統應用,進而推動寬禁帶半導體技術在中國加速發展。”、

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